BSS7728

更新时间： 2024-11-23 22:39:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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8页	110K
描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

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BSS7728 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.16
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.15 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	8 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS7728 数据手册

Rev. 2.0

BSS7728N

SIPMOS Small-Signal-Transistor

Feature

Product Summary

· N-Channel

· Enhancement mode

· Logic Level

· dv/dt rated

DS(on)

0.2

SOT-23

Drain

pin 3

Gate

pin1

Source

pin 2

Type

Package

Ordering Code

Tape and Reel Information

Marking

SOT-23

Q67042-S4189

BSS7728N

E6327: 3000 pcs/reel

sSK

Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T =25°C

0.2

0.16

0.8

T =70°C

Pulsed drain current

D puls

T =25°C

kV/µs

Reverse diode dv/dt

dv/dt

I =0.2A, V =48V, di/dt=200A/µs, T =150°C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

±20

0.36

tot

T =25°C

°C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

T , T

-55... +150

55/150/56

stg

Page 1

2003-06-06

12 3 4 5 6 7 8

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