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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.21 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 285 ns | 最大开启时间（吨）： | 20 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS80 | TYSEMI |
获取价格 |
High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage. |
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| BSS80 | INFINEON |
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PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation v |
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| BSS80 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Switching Transistors |
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| BSS806N | INFINEON |
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OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor |
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| BSS806N | TYSEMI |
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OptiMOS2 Small-Signal-Transistor Ultra Logic level (1.8V rated) Avalanche rated |
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| BSS806NE | INFINEON |
获取价格 |
Infineon technologies offers automotive and i |
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| BSS806NEH6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSS806NEH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSS806NH6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSS806NH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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