| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS80CLT1 | MOTOROLA |
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Transistor |
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| BSS80CTA | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS80CTC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS81 | INFINEON |
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NPN Silicon Switching Transistors |
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| BSS81 | KEXIN |
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NPN Silicon Switching Transistors |
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| BSS81 | TYSEMI |
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High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage. |
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| BSS816NW | INFINEON |
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OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor |
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| BSS816NW H6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSS816NWH6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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