BSS82B

更新时间： 2024-10-01 22:39:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	183K
描述
PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage)

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BSS82B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.26
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	110 ns	最大开启时间（吨）：	50 ns
Base Number Matches：	1

BSS82B 数据手册

PNP Silicon Switching Transistors

BSS 80

BSS 82

● High DC current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BSS 79, BSS 81 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BSS 80 B

BSS 80 C

BSS 82 B

BSS 82 C

CHs

CJs

CLs

CMs

Q62702-S557

Q62702-S492

Q62702-S560

Q62702-S482

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

BSS 80

BSS 82

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

800

Peak collector current

Base current

100

200

330

150

Peak base current

Total power dissipation, T

=77 ˚C

Ptot

˚C

Junction temperature

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 290

≤ 220

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4 5 6

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