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BSS816NWH6327XTSA1

更新时间： 2024-10-02 14:48:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	185K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BSS816NWH6327XTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.67	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	1.4 A	最大漏源导通电阻：	160 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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BSS816NW

OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V _DS

160

240

1.4

• N-channel

R _DS(on),max

V _GS=2.5 V

V _GS=1.8 V

mΩ

• Enhancement mode

• Ultra Logic level (1.8V rated)

I _D

• Avalanche rated

• Qualified according to AEC Q101

• 100% lead-free; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

PG-SOT323

Type

Package

Tape and Reel Information

Marking

Lead Free

Packing

BSS816NW PG-SOT323 H6327: 3000 pcs/ reel

XCs

Yes

Non dry

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

1.4

1.1

5.6

I _D,pulse

Pulsed drain current

E _AS

I _D=1.4 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

3.7

I _D=1.4 A, V _DS=16 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=150 °C

V _GS

Gate source voltage

±8

Power dissipation¹⁾

P _tot

T _A=25 °C

0.5

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

ESD Class

-55 ... 150

0 (<250V)

260 °C

JESD22-A114 -HBM

Soldering Temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

55/150/56

Rev 2.3

page 1

2011-07-13

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSS81B	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Switching Transistors
BSS81B	TYSEMI	获取价格	High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage.
BSS81B	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation v
BSS81C	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation v
BSS81C	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Switching Transistors
BSS82	KEXIN	获取价格	PNP Silicon Switching Transistors
BSS82	TYSEMI	获取价格	High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage.
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