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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 110 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 50 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS82C-CM | ZETEX |
获取价格 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
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| BSS82CE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS82CE6433 | INFINEON |
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Transistor |
|
| BSS82CL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
|
| BSS82CTA | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BSS82CTC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BSS83 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 10V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSS83 | NXP |
获取价格 |
MOSFET N-channel enhancement switching transistor |
|
| BSS83 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSS83,215 | NXP |
获取价格 |
BSS83 - MOSFET N-channel switching transistor SOT-143 4-Pin |
|
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