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BSS82B-E6433

更新时间： 2024-11-20 03:25:19

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Transistor

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BSS82B-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES

BSS82B-E6433 数据手册

BSS80, BSS82

PNP Silicon Switching Transistors

High DC current gain: 0.1mA to 500 mA

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BSS79, BSS81 (NPN)

VPS05161

Type

Marking

CHs

Pin Configuration

Package

SOT23

1 = B

2 = E

3 = C

BSS80B

BSS80C

BSS82B

BSS82C

CJs

CLs

3 = C

CMs

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Unit

BSS80

BSS82

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CBO

EBO

800

100

200

330

150

Peak base current

Total power dissipation, T = 77 °C

°C

tot

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

220

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Nov-30-2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSS82BTC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BSS82C	TYSEMI	获取价格	High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage.
BSS82C	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation v
BSS82C	ZETEX	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
BSS82C	KEXIN	获取价格	PNP Silicon Switching Transistors
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BSS82CE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BSS82CE6433	INFINEON	获取价格	Transistor