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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.26 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 110 ns | 最大开启时间（吨）： | 50 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS82B-CL | ZETEX |
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SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
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| BSS82B-E6327 | INFINEON |
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Transistor |
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| BSS82B-E6433 | INFINEON |
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Transistor |
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| BSS82BL | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
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| BSS82BTA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS82BTC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS82C | TYSEMI |
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High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage. |
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| BSS82C | INFINEON |
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PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation v |
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| BSS82C | ZETEX |
获取价格 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
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| BSS82C | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Switching Transistors |
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