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BSS806NL6327

更新时间： 2024-10-02 12:52:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管局域网
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9页 533K
描述
OptiMOS™ 2Small-Signal-Transistor

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BSS806NL6327 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.057 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：29 pF
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS806NL6327 数据手册

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