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BSS80B-E6327

更新时间： 2024-10-03 03:01:39

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Transistor

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BSS80B-E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES

BSS80B-E6327 数据手册

BSS80, BSS82

PNP Silicon Switching Transistors

High DC current gain: 0.1mA to 500 mA

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BSS79, BSS81 (NPN)

VPS05161

Type

Marking

CHs

Pin Configuration

Package

SOT23

1 = B

2 = E

3 = C

BSS80B

BSS80C

BSS82B

BSS82C

CJs

CLs

3 = C

CMs

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Unit

BSS80

BSS82

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CBO

EBO

800

100

200

330

150

Peak base current

Total power dissipation, T = 77 °C

°C

tot

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

220

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Nov-30-2001

12 3 4 5 6 7 8

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