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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BSS79C
BSS79C PDF预览

BSS79C

更新时间： 2024-11-26 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 161K
描述
NPN Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage)

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BSS79C 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.19
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：310 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

BSS79C 数据手册

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NPN Silicon Switching Transistors  
BSS 79  
BSS 81  
● High DC current gain  
● Low collector-emitter saturation voltage  
● Complementary types: BSS 80, BSS 82 (PNP)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
BSS 79 B  
BSS 79 C  
BSS 81 B  
BSS 81 C  
CEs  
CFs  
CDs  
CGs  
Q62702-S503  
Q62702-S501  
Q62702-S555  
Q62702-S605  
B
E
C
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
BSS 79  
BSS 81  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
40  
35  
V
V
75  
V
6
I
I
I
I
C
800  
1
mA  
A
Peak collector current  
Base current  
CM  
B
100  
200  
330  
150  
mA  
Peak base current  
BM  
Total power dissipation, T  
S
=77 ˚C  
Ptot  
mW  
˚C  
Junction temperature  
Tj  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
≤ 290  
≤ 220  
K/W  
R
Junction - soldering point  
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1
12345

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BSS79C 替代型号

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 		High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage.

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