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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS79CLT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| BSS79CS62Z | TI |
获取价格 |
NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BSS79CTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BSS79CTC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSS80 | TYSEMI |
获取价格 |
High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage. |
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| BSS80 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation v |
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| BSS80 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Switching Transistors |
|
| BSS806N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor |
|
| BSS806N | TYSEMI |
获取价格 |
OptiMOS2 Small-Signal-Transistor Ultra Logic level (1.8V rated) Avalanche rated |
|
| BSS806NE | INFINEON |
获取价格 |
Infineon technologies offers automotive and i |
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