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BSS79

更新时间： 2024-01-15 05:42:50

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TYSEMI		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	176K
描述
High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. Low collector-emitter saturation voltage.

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BSS79 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.21
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	285 ns	最大开启时间（吨）：	20 ns
Base Number Matches：	1

BSS79 数据手册

SMD Type

Product specification

BSS79,BSS81

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

High DC current gain: 0.1mA to 500 mA.

Low collector-emitter saturation voltage.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

BSS79

BSS81

Unit

V^CEO

V^CBO

V^EBO

I^C

800

Peak collector current

Base current

I^CM

I^B

100

200

330

150

Peak base current

I^BM

P^tot

T^j

Total power dissipation,T^S= 77

Junction temperature

Storage temperature

Junction - soldering point

-65 to +150

220

T^stg

R^thJS

K/W

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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