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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | MO-041BB | JESD-30 代码： | R-CDSO-N6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS74 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| BSS74 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 200V 0.5A 3-Pin TO-18 |
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| BSS74CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| BSS74R | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| BSS74S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
|
| BSS75 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
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| BSS75S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
|
| BSS76 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| BSS76 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-18 |
|
| BSS76 |
获取价格 |
High Voltage PNP Silicon Transistor |
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