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BSS74

更新时间: 2024-11-23 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管高压放大器
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR

BSS74 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.3
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):35JEDEC-95代码:TO-206AA
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):110 MHz
Base Number Matches:1

BSS74 数据手册

 浏览型号BSS74的Datasheet PDF文件第2页 
BSS74R  
S E M E  
LA B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
5.84 (0.230)  
5.31 (0.209)  
HIGH VOLTAGE  
PNP SILICON  
TRANSISTOR  
4.95 (0.195)  
4.52 (0.178)  
0.48 (0.019)  
0.41 (0.016)  
dia.  
2.54 (0.100)  
Nom.  
3
1
2
TO–18 PACKAGE  
PIN 1 – Emitter  
PIN 2 – Base  
PIN 3 – Collector  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
C
V
V
V
Collector – Base Voltage  
Collector – Emitter Voltage  
Emitter – Base Voltage  
200V  
CBO  
CEO  
EBO  
200V  
5V  
I
Continuous Collector Current  
Total Device Dissipation  
0.5A  
C
P
T
= 25°C  
AMB  
0.5W  
D
Derate above 25°C  
2.86mW/°C  
2.5W  
P
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
D
C
Derate above 25°C  
14.3mW/°C  
-65 to 200°C  
70°C/W  
T , T  
Operating Junction & Storage Temperature Range  
Thermal Resistance, Junction – Case  
J
STG  
R
JC  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 9/95  

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