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BSS74

更新时间： 2024-09-29 22:39:39

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SEME-LAB		晶体晶体管高压放大器
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR

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BSS74 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JEDEC-95代码：	TO-206AA
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

BSS74 数据手册

BSS74R

S E M E

LA B

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

HIGH VOLTAGE

PNP SILICON

TRANSISTOR

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

dia.

2.54 (0.100)

Nom.

TO–18 PACKAGE

PIN 1 – Emitter

PIN 2 – Base

PIN 3 – Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

200V

CBO

CEO

EBO

200V

Continuous Collector Current

Total Device Dissipation

0.5A

= 25°C

AMB

0.5W

Derate above 25°C

2.86mW/°C

2.5W

Total Device Dissipation

T = 25°C

Derate above 25°C

14.3mW/°C

-65 to 200°C

70°C/W

T , T

Operating Junction & Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction – Case

STG

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 9/95

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS74CSM	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1
BSS74R	SEME-LAB	获取价格	HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR
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