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BSS138W

更新时间： 2024-02-24 12:40:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 197K
描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

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BSS138W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.55
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BSS138W 数据手册

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BSS138W  
13 Typ. gate charge  
V GS=f(Q gate); I D=0.2 A pulsed  
parameter: V DD  
14 Drain-source breakdown voltage  
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA  
70  
65  
60  
55  
50  
12  
10  
8
30 V  
48 V  
12 V  
6
4
2
0
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
Q gate [nC]  
T j [°C]  
Rev. 1.1  
page 7  
2004-04-16  
1...456789

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与BSS138W相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BSS138W (新产品) ROHM BSS138W采用UMT3封装，内置有单极Nch 60V 310mA MOSFET和ESD

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