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BSS139I

更新时间: 2024-11-06 14:56:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 1551K
描述
N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装,其特性为 VDS = 600 V、RDS(on)?= 60 Ohm。

BSS139I 数据手册

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与BSS139I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS139L6906 INFINEON

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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS139Z UTC

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0.2A, 50V N-CHANNEL POWER MOSFET
BSS139ZG-AE2-R UTC

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0.2A, 50V N-CHANNEL POWER MOSFET
BSS139ZL-AE2-R UTC

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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSS145 INFINEON

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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)
BSS145E6327 INFINEON

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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 65V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS149 INFINEON

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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)
BSS149E-6288 INFINEON

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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS149E6325 INFINEON

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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS15 ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-39