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BSS138W

更新时间: 2024-01-02 22:13:40
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 197K
描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSS138W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.55
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BSS138W 数据手册

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BSS138W  
Unit  
Values  
typ.  
Parameter  
Symbol Conditions  
min.  
max.  
Dynamic characteristics  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
C iss  
-
-
-
-
-
-
-
32  
7.2  
2.8  
2.2  
3.0  
6.7  
8.2  
43  
10  
pF  
ns  
V GS=0 V, V DS=25 V,  
C oss  
Crss  
t d(on)  
t r  
f =1 MHz  
4.2  
3.3  
4.5  
10  
V DD=30 V, V GS=10 V,  
I D=0.2 A, R G=6  
t d(off)  
t f  
Turn-off delay time  
Fall time  
12  
Gate Charge Characteristics  
Gate to source charge  
Gate to drain charge  
Gate charge total  
Q gs  
-
-
-
-
0.10  
0.3  
1.0  
3.2  
0.13 nC  
0.4  
Q gd  
V DD=48 V, I D=0.2 A,  
V GS=0 to 10 V  
Q g  
1.5  
V plateau  
Gate plateau voltage  
-
V
A
Reverse Diode  
I S  
Diode continous forward current  
Diode pulse current  
-
-
-
-
0.28  
1.12  
T A=25 °C  
I S,pulse  
V GS=0 V, I F=0.28 A,  
T j=25 °C  
V SD  
Diode forward voltage  
-
0.85  
1.2  
V
t rr  
Reverse recovery time  
-
-
8.3  
3.3  
12.4 ns  
V R=30 V, I F=0.28 A,  
di F/dt =100 A/µs  
Q rr  
Reverse recovery charge  
5
nC  
Rev. 1.1  
page 3  
2004-04-16  

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