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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> BSS138W-7
BSS138W-7 PDF预览

BSS138W-7

更新时间： 2024-01-21 00:27:36
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 92K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BSS138W-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：0.94其他特性：LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 A最大漏极电流 (ID)：0.2 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：8 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS138W-7 数据手册

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BSS138W  
N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
Low On-Resistance  
A
D
SOT-323  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Dim  
A
Min  
0.25  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
C
B
B
G
S
Mechanical Data  
C
G
H
·
Case: SOT-323, Molded Plastic  
D
0.65 Nominal  
·
·
·
Case Material - UL Flammability Rating 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Code (See Page 2): K38  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
K
J
M
G
H
L
D
E
J
Drain  
·
·
·
·
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
M
Gate  
a
All Dimensions in mm  
Source  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
VDGR  
VGSS  
ID  
BSS138W  
Units  
V
50  
50  
Drain-Source Voltage  
V
Drain-Gate Voltage (Note 1)  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Continuous  
±20  
V
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Drain Current (Note 2)  
200  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 2)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
200  
RqJA  
625  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 3)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
BVDSS  
IDSS  
VGS = 0V, ID = 250mA  
DS = 50V, VGS = 0V  
50  
¾
¾
75  
¾
¾
¾
0.5  
V
V
µA  
nA  
IGSS  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
±100  
ON CHARACTERISTICS (Note 3)  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
RDS (ON)  
gFS  
VDS = VGS, ID = -250mA  
0.5  
¾
1.2  
1.4  
¾
1.5  
3.5  
¾
V
W
VGS = 10V, ID = 0.22A  
Static Drain-Source On-Resistance  
Forward Transconductance  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
VDS =25V, ID = 0.2A, f = 1.0KHz  
100  
mS  
Ciss  
Coss  
Crss  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
50  
25  
pF  
pF  
pF  
V
DS = 10V, VGS = 0V  
Output Capacitance  
f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Delay Time  
8.0  
tD(ON)  
¾
¾
¾
¾
20  
20  
ns  
ns  
VDD = 30V, ID = 0.2A,  
RGEN = 50W  
tD(OFF)  
Turn-Off Delay Time  
Note: 1. RGS £ 20KW.  
2. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30206 Rev. 3 - 2  
1 of 5  
BSS138W  
www.diodes.com  
12345

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