是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 1.68 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.28 A | 最大漏源导通电阻: | 3.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 4.2 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BSS138WQ | DIODES | 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
获取价格 |
|
BSS138WT1 | WILLAS | 200 mAmps, 50 Volts |
获取价格 |
|
BSS138X | YANGJIE | SOT-563 |
获取价格 |
|
BSS138ZN3 | CYSTEKEC | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
获取价格 |
|
BSS138ZN3-0-T1-G | CYSTEKEC | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
获取价格 |
|
BSS139 | TYSEMI | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
获取价格 |