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BSS145E6327

更新时间： 2024-11-21 21:15:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	91K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 65V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN

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BSS145E6327 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.2
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	0.22 A	最大漏源导通电阻：	3.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	8 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS145E6327 数据手册

BSS 145

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• V

= 1.4 ...2.3 V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

V_DS

I_D

R_DS(on)

3.5

BSS 145

65 V

0.22 A

Ω

SOT-23

SBs

Type

Ordering Code

Q67000-S132

Tape and Reel Information

BSS 145

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

DGR

Ω

= 20 k

Gate source voltage

ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883

Continuous drain current

Class 1

0.22

T = 31 ˚C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 ˚C

0.88

Power dissipation

tot

T = 25 ˚C

0.36

Data Sheet

05.99

12 3 4 5 6 7

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