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BSS159N

更新时间： 2024-02-17 09:55:32

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TYSEMI		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	546K
描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

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BSS159N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.23 A	最大漏极电流 (ID)：	0.23 A
最大漏源导通电阻：	3.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5.9 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS159N 数据手册

SMD Type

Product specification

BSS159N

SIPMOS^®Small-Signal-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

Ω

• N-channel

• Depletion mode

R _DS(on),max

I _DSS,min

0.13

• dv /dt rated

SOT-23

Type

Package

Ordering Code Tape and Reel Information

Q67042-S1488 E6327: 3000 pcs/reel

Marking

BSS159N

SOT-23

SGs

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

0.23

0.18

0.92

I _D,pulse

dv /dt

V _GS

Pulsed drain current

Reverse diode dv /dt

Gate source voltage

I _D=0.23 A, V _DS=60 V,

di /dt =200 A/µs,

T _j,max=150 °C

kV/µs

±20

ESD sensitivity (HBM) as per

MIL-STD 883

Class 1

P _tot

T _A=25 °C

Power dissipation

0.36

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

°C

1 of 3

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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