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BSS139E6327

更新时间： 2024-11-20 14:41:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	229K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 3 PIN

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BSS139E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.08
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	30 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	3.3 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS139E6327 数据手册

BSS139

SIPMOS^®Small-Signal-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

250

Ω

• N-channel

• Depletion mode

R _DS(on),max

I _DSS,min

0.03

• dv /dt rated

• Available with V _GS(th)indicator on reel

• Pb-free lead-plating; RoHS compliant

PG-SOT-23

Type

Package

Tape and Reel Information

Marking

Pb-free

Yes

BSS139

PG-SOT-23 L6327: 3000 pcs/reel

PG-SOT-23

STs

L6906: 3000 pcs/reel sorted in V _GS(th)bands¹⁾

Yes

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

0.10

0.08

0.4

I _D,pulse

dv /dt

V _GS

Pulsed drain current

Reverse diode dv /dt

Gate source voltage

I _D=0.1 A,V _DS=200 V,

di /dt =200 A/µs,

kV/µs

_j,max=150 °C

±20

ESD sensitivity (HBM) as per

MIL-STD 883

Class 1

P _tot

T _A=25 °C

Power dissipation

0.36

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

°C

¹⁾see table on next page and diagram 11

Rev. 1.62

page 1

2006-11-27

12 3 4 5 6 7...9

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BSS139E6327 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS139L6906	INFINEON	类似代替	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS139	INFINEON	类似代替	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

与BSS139E6327相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS139E7941	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.04A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS139H6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS139I	INFINEON	获取价格	N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VD
BSS139L6906	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS139Z	UTC	获取价格	0.2A, 50V N-CHANNEL POWER MOSFET
BSS139ZG-AE2-R	UTC	获取价格	0.2A, 50V N-CHANNEL POWER MOSFET
BSS139ZL-AE2-R	UTC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSS145	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)
BSS145E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 65V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS149	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

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