是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.08 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.1 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.1 A |
最大漏源导通电阻: | 30 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 3.3 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.36 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BSS139E7941 | INFINEON | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.04A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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BSS139H6327 | INFINEON | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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BSS139I | INFINEON | N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装,其特性为 VD |
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BSS139L6906 | INFINEON | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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BSS139Z | UTC | 0.2A, 50V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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BSS139ZG-AE2-R | UTC | 0.2A, 50V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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