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BSS139E6327

更新时间： 2024-01-17 00:21:10

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	229K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 3 PIN

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BSS139E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.08
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	30 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	3.3 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS139E6327 数据手册

BSS139

13 Forward characteristics of reverse diode

I _F=f(V _SD

15 Typ. gate charge

_GS=f(Q _gate); I _D=0.1 A pulsed

)

parameter: T _j

parameter: V _DD

0.2 VDS(max)

0.5 VDS(max)

150 °C, 98%

0.8 VDS(max)

0.1

25 °C

150 °C

25 °C, 98%

0.01

-2

-4

0.001

0.4

0.8

_SD[V]

1.2

1.6

_gate[nC]

16 Drain-source breakdown voltage

_BR(DSS)=f(T _j); I _D=250 µA

300

280

260

240

220

-60

-20

100

140

180

T _j[°C]

Rev. 1.62

page 7

2006-11-27

1...4 5 678 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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