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BSS110

更新时间: 2024-11-22 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 79K
描述
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSS110 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.64
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (ID):0.17 A
最大漏源导通电阻:10 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):12 pFJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSS110 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSS110  
P-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
1995 Apr 07  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  
Philips Semiconductors  

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