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BSP43TRL

更新时间: 2024-09-17 13:02:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管IOT
页数 文件大小 规格书
8页 47K
描述
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

BSP43TRL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.14最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):1000 ns最大开启时间(吨):250 ns
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BSP43TRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
M3D08
BSP41; BSP43  
NPN medium power transistors  
1999 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Sep 05  

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