BSP50

更新时间： 2024-01-31 02:18:45

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
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描述
NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage)

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BSP50 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.3 V	Base Number Matches：	1

BSP50 数据手册

NPN Silicon Darlington Transistors

BSP 50

… BSP 52

● High collector current

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BSP 60 … BSP 62 (PNP)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BSP 50

BSP 51

BSP 52

BSP 50

BSP 51

BSP 52

Q62702-P1163

Q62702-P1164

Q62702-P1165

SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

BSP 50 BSP 51 BSP 52

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CER

CB0

EB0

100

Peak collector current

Base current

0.1

1.5

150

Total power dissipation, T

= 124 ˚C

tot

Junction temperature

˚C

Storage temperature range

stg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 72

≤ 17

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4 5

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