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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSN204-T/R | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose |
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| BSN205 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSN205A | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN205A | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BSN20-7 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET |
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| BSN20BK | NEXPERIA |
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60 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
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| BSN20Q-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BSN20T/R | NXP |
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TRANSISTOR 173 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| BSN20-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| BSN20-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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