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BSN254

更新时间: 2024-10-13 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 69K
描述
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSN254 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.72配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.3 A
最大漏极电流 (ID):0.31 A最大漏源导通电阻:5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):15 pF
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSN254 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BSN254; BSN254A  
N-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
Product specification  
2002 Feb 19  
Supersedes data of 1997 Jun 23  

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