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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A | 最大漏源导通电阻： | 7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BS250P | DIODES |
功能相似  |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVN2106A | DIODES |
功能相似 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVN4206A | DIODES |
功能相似 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSN254A | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN254A,126 | NXP |
获取价格 |
BSN254A - N-channel vertical D-MOS standard level FET TO-92 3-Pin |
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| BSN254AAMO | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-92VAR |
|
| BSN254AMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SOT-54 (TO-92) VAR |
|
| BSN274 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN274A | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN274T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-92VAR |
|
| BSN-2A6 | MSYSTEM |
获取价格 |
Space-saving Two-wire Signal Conditioners B-UNIT |
|
| BSN-2A6/Q | MSYSTEM |
获取价格 |
Space-saving Two-wire Signal Conditioners B-UNIT |
|
| BSN-2AA | MSYSTEM |
获取价格 |
Space-saving Two-wire Signal Conditioners B-UNIT |
|
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