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BSN254A

更新时间: 2024-10-13 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 69K
描述
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSN254A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.74Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.31 A最大漏极电流 (ID):0.31 A
最大漏源导通电阻:5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):15 pFJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSN254A 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BSN254; BSN254A  
N-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
Product specification  
2002 Feb 19  
Supersedes data of 1997 Jun 23  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK3019TL ROHM

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