ZVN2106A

更新时间： 2024-02-28 11:49:58

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	50K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN2106A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.25
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.61 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN2106A 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN2106A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)=2Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

450

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

2.4

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

500

100

n A

µA

V_DS=60 V, V_GS=0

V_DS=48 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

V_DS=18V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=1A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

300

m S

V_DS=18V,I_D=1A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=18 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Ca p acita n ce

(2)

C_{rs s}

p F

3-361

12 3

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ZVN2106A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BS170P	DIODES	类似代替	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET
ZVP2106A	DIODES	类似代替	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
MMBF170-7-F	DIODES	类似代替	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与ZVN2106A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN2106AM1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 450MA I(D) \| SO
ZVN2106ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN2106ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN2106ASMTA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN2106ASMTC	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN2106ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN2106ASTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN2106ASTOB	DIODES	获取价格	暂无描述
ZVN2106ASTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN2106B	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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