5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.08 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A |
| 最大漏源导通电阻： | 20 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSS123-7-F | DIODES |
功能相似  |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2N7002K-7 | DIODES |
功能相似 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2N7002-7-F | DIODES |
功能相似 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSN20W135 | NXP |
获取价格 |
80mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| BSN20WT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80MA I(D) | SOT-323 |
|
| BSN22 | PANDUIT |
获取价格 |
26-22 BARREL NYLON INSULATED BUTT SPLICE |
|
| BSN254 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN254,126 | NXP |
获取价格 |
BSN254 - N-channel vertical D-MOS standard level FET TO-92 3-Pin |
|
| BSN254A | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN254A,126 | NXP |
获取价格 |
BSN254A - N-channel vertical D-MOS standard level FET TO-92 3-Pin |
|
| BSN254AAMO | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-92VAR |
|
| BSN254AMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SOT-54 (TO-92) VAR |
|
| BSN274 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
