5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.08 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A | 最大漏源导通电阻： | 20 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSN22 | PANDUIT |
获取价格 |
26-22 BARREL NYLON INSULATED BUTT SPLICE |
|
| BSN254 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN254,126 | NXP |
获取价格 |
BSN254 - N-channel vertical D-MOS standard level FET TO-92 3-Pin |
|
| BSN254A | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN254A,126 | NXP |
获取价格 |
BSN254A - N-channel vertical D-MOS standard level FET TO-92 3-Pin |
|
| BSN254AAMO | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-92VAR |
|
| BSN254AMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SOT-54 (TO-92) VAR |
|
| BSN274 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN274A | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSN274T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-92VAR |
|
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
