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BSN20BK

更新时间： 2024-10-15 11:15:47

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	733K
描述
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

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BSN20BK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.45
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.265 A
最大漏源导通电阻：	3.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	7 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

BSN20BK 数据手册

BSN20BK

60 V, N-channel Trench MOSFET

18 December 2014

Product data sheet

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM

•

3. Applications

Relay driver

•

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-20

V_GS= 10 V; T_amb= 25 °C

V_GS= 10 V; T_sp= 25 °C

[1]

265

330

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

V_GS= 10 V; I_D= 200 mA; T_j= 25 °C

2.1

2.8

resistance

Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and mounting pad for drain 1 cm².

[1]

12 3 4 5 6 7...16

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与BSN20BK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSN20Q-7	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSN20T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 173 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si
BSN20-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si
BSN20-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si
BSN20TRL	NXP	获取价格	100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
BSN20TRL13	NXP	获取价格	100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
BSN20W	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSN20W135	NXP	获取价格	80mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
BSN20WT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 80MA I(D) \| SOT-323
BSN22	PANDUIT	获取价格	26-22 BARREL NYLON INSULATED BUTT SPLICE