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BLW78

更新时间: 2024-11-24 22:27:47
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恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 84K
描述
HF/VHF power transistor

BLW78 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:35 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRFM-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):160 W最小功率增益 (Gp):6 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):350 MHz
Base Number Matches:1

BLW78 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLW78  
HF/VHF power transistor  
August 1986  
Product specification  

与BLW78相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BLW79 NJSEMI

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