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BLW96

更新时间: 2024-10-31 22:27:47
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
14页 93K
描述
HF/VHF power transistor

BLW96 技术参数

Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.26外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):12 A集电极-发射极最大电压:55 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRFM-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):340 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):245 MHz

BLW96 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLW96  
HF/VHF power transistor  
August 1986  
Product specification  

BLW96 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC2652 TOSHIBA

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