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BLW81

更新时间： 2024-01-01 03:07:21

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ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	18K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLW81 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	2.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

BLW81 数据手册

BLW81

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

DESCRIPTION:

The ASI BLW81 is Designed for

Class A,B or C UHF & VHF

Communications

45°

FEATURES:

• P_G= 6 dB Typical at 470 MHz

• Omnigold™ Metallization System

MAXIMUM RATINGS

#8-32 UNC

2.5 A

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

36 V

V_CB

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

40 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

4.4 °C/W

P_DISS

T_J

.572 / 14.53

.130 / 3.30

T_STG

θ_JC

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.640 / 16.26

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 Ma

I_C= 25 Ma

I_E= 10 Ma

V_BE= 0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CES

V_CE= 17 V

_CE= 5.0 V

---

I_C= 1.25 A

h_FE

_CB= 12.5 V

F = 1. 0 MHz

F = 470 MHz

C_OB

10.0

6.0

12.0

13.5

P_OUT

P_G

V_CE= 12.5 V

P_IN= 2.5 W

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV 0

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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与BLW81相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLW83	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW83	NXP	获取价格	HF/VHF power transistor
BLW83	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 36V 3A 4-Pin SOT-123A
BLW83MP	ASI	获取价格	Transistor,
BLW85	NXP	获取价格	HF/VHF power transistor
BLW85	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW85	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 16V 9A 4-Pin SOT-123A
BLW86	NXP	获取价格	HF/VHF power transistor
BLW86	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW86	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 36V 4A 4-Pin SOT-123A