BLW96

更新时间： 2024-11-01 08:58:19

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
1页	19K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BLW96 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	340 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLW96 数据手册

BLW96

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI BLW96 is Designed for

High Linearity Class A, AB HF Power

Amplifier Applications up to 30 MHz.

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

.112x45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

• P_G= 14 dB Typical at 200 W/28 MHz

• IMD₃= -32 dBc Typ. at 220 W^(PEP)

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

I_C

12 A

110 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_EES

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.220 / 5.59

.230 / 5.84

.125 / 3.18

.245 / 6.22

.255 / 6.48

55 V

.720 / 18.28

.7.30 / 18.54

4.0 V

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

320 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.7 ^OC/W

T_STG

θ_JC

.980 / 24.89

ORDER CODE: ASI10826

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CES

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

110

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

I_C= 200 mA

I_E= 20 mA

4.0

_CE= 55 V

_CE= 5.0 V

---

h_FE

I_C= 7.0 A

I_C= 4.0 A

V_CE

I_C= 20 A

1.9

C_C

G_P

_CB= 50 V

f = 1.0 MHz

280

13.5

-30

V_CE= 50 V

I_CQ=100 mA

P_OUT= 200 W(PEP)

IMD₃

η_C

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

中文翻译

下载PDF

BLW96 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC2652	TOSHIBA	功能相似	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
SD1731	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

与BLW96相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLW96/B	ETC	获取价格	TRANSISTOR RF SOT-121
BLW97	NXP	获取价格	HF power transistor
BLW97	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW97/B	ETC	获取价格	TRANSISTOR RF SOT-121
BLW98	NXP	获取价格	UHF linear power transistor
BLW98	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW98	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 27V 2A 4-Pin CRPM
BLW99	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BLW99	NXP	获取价格	TRANSISTOR Si, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
BL-WD03J4	YSTONE	获取价格	ULTRA BRIGHT LED LAMPS (ROUND TYPES)

与BLW96相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BLW96

BLW96 技术参数

BLW96 数据手册

BLW96 替代型号

与BLW96相关器件

与BLW96相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BLW96

BLW96 技术参数

BLW96 数据手册

BLW96 替代型号

与BLW96相关器件

与BLW96相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？