Datasheet > BLW80

BLW80

更新时间： 2024-11-01 08:58:19

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	18K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BLW80 数据手册

BLW80

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

DESCRIPTION:

The ASI BLW80 is Designed for

Class A,B or C UHF & VHF

Communication applications up to 470

MHz.

45°

FEATURES:

• P_G= 8.0 dB Typical at 470 MHz

• Omnigold™ Metallization System

#8-32 UNC

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

1.0 A

I_C

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

36 V

V_CES

17 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

10.3 °C/W

P_DISS

T_J

.572 / 14.53

.130 / 3.30

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.640 / 16.26

T_STG

θ_JC

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 10 mA

I_E= 4.0 mA

V_BE= 0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CES

_CE= 17 V

_CE= 5 V

4.0

---

I_C= 5.0 A

h_FE

I_C= 1.5 A

I_B= 300 mA

0.75

V_CE

V_CB= 12.5 V

F = 1. 0 MHz

F = 470 MHz

C_C

8.0

P_G

V_CE= 12.5 V

P_OUT= 4.0 W

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV 0

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

中文翻译

下载PDF

与BLW80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLW81	NXP	获取价格	UHF power transistor
BLW81	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW81	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 17V 2.5A 4-Pin CRPM
BLW83	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW83	NXP	获取价格	HF/VHF power transistor
BLW83	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 36V 3A 4-Pin SOT-123A
BLW83MP	ASI	获取价格	Transistor,
BLW85	NXP	获取价格	HF/VHF power transistor
BLW85	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW85	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 16V 9A 4-Pin SOT-123A