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BLW90

更新时间: 2024-10-31 22:27:47
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恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 60K
描述
UHF power transistor

BLW90 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.09Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):0.62 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRPM-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:18.6 W
最小功率增益 (Gp):11 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):900 MHz
Base Number Matches:1

BLW90 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLW90  
UHF power transistor  
August 1986  
Product specification  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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