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BLW86

更新时间: 2024-09-22 22:27:47
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
15页 121K
描述
HF/VHF power transistor

BLW86 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.09
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:36 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRFM-F4湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):225极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.105 W最小功率增益 (Gp):7.5 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):570 MHzBase Number Matches:1

BLW86 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLW86  
HF/VHF power transistor  
August 1986  
Product specification  

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