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BL12N65B

更新时间： 2024-04-09 19:02:23

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BL12N65B 数据手册

Product Specification

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor BL12N65B

PACKAGE OUTLINE

Plastic surface mounted package

TO-263

6.00

8.00

9.90

10.30

8.50

4.37

1.07

5.34

2.44

9.10

4.77

1.47

5.74

2.64

15.30

0.28

1.17

0.71

15.90

0.48

1.37

0.91

All Dimensions in mm

SOLDERING FOOTPRINT

10.4

8.8

2.08

Unit: mm

2.54

MTM0847A: February 2018

www.gmesemi.com

1 23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BL12N65F	BL Galaxy Electrical	12A, 650V, 42W, N Channel, Power MOSFETs	获取价格
BL12N70	BELLING	BL12N70, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology	获取价格
BL-12V	JST	用于短路连接的端子被封装在外壳内，以防端子半嵌合或意外脱落，从而增强安全性。*面板锁设计用	获取价格
BL-12VST	JST	用于短路连接的端子被封装在外壳内，以防端子半嵌合或意外脱落，从而增强安全性。*面板锁设计用	获取价格
BL1302A57	BELLING	BL1302A57	获取价格
BL1302A57S	BELLING	BL1302A57	获取价格