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BL12N65B

更新时间： 2024-04-09 19:02:23

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
页数	文件大小	规格书
3页	230K
描述
12A, 650V, 90W, N Channel, Power MOSFETs

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BL12N65B 数据手册

Product Specification

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor BL12N65B

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

OFF Characteristics

Parameter

Symbol

V_DSS

Test conditions

V_GS=0V,I_D=250μA

V_DS=650V, V_GS=0V

V_GS=30V

MIN

TYP

MAX

UNIT

Drain-Source Breakdown Voltage

650

Drain to Source Leakage Current

Gate to Sourse Forward Leakage

Gate to Sourse ReverseLeakage

ON Characteristics

I_DSS

μA

I_GSS(F)

I_{GSS (R)}

0.1

-0.1

V_GS=-30V

Parameter

Symbol

R_DS(ON)

V_{GS (TH)}

Test conditions

V_GS=10V, I_D=6A

MIN

TYP

MAX

UNIT

Drain-to-Source On-Resistance

Gate Threshold Voltage

0.66

0.8

4.0

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

2.0

Dynamic Characteristics

Parameter

Symbol

Ciss

Test conditions

MIN

TYP MAX

UNIT

Input Capacitance

1993

160

9.5

V_GS=0V,

V_DS=25V,f=1.0MHz

Coss

Crss

Output Capacitance

Reserse Transfer Capacitance

Source-Drain Diode Characteristics

Parameter

Symbol Test conditions

MIN

TYP MAX

UNIT

Continuous Source Current(Body Diode) I_S

Ta=25℃

Maximum Pulsed Current(Body Diode))

Diode Forward Voltage

I_SM

V_SD

I_S=12.0A, V_GS=0V

1.5

MTM0847A: February 2018

www.gmesemi.com

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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