BFS466L6

更新时间： 2024-11-24 22:19:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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NPN Silicon RF TWIN Transistor

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BFS466L6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.45 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	90
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-XBCC-N6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.21 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	22000 MHz
Base Number Matches：	1

BFS466L6 数据手册

BFS466L6

NPN Silicon RF TWIN Transistor

Preliminary data

• Low voltage/ low current applications

• Ideal for VCO modules and low noise amplifiers

• Low noise figure: TR1: 1.1dB at 1.8 GHz

TR2: 1.0 dB at 1.8 GHz

• World's smallest SMD 6-pin leadless package

• Built in 2 transitors (TR1: die as BFR460L3,

TR2: die as BFR360L3)

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFS466L6

Marking

Pin Configuration

1=C1 2=E1 3=C2 4=B2 5=E2 6=B1 TSLP-6-1

Package

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

TR1

TR2

Collector-emitter voltage

TR1

TR2

Symbol

Value

Unit

CEO

CES

CBO

EBO

4.5

Collector-base voltage

TR1

TR2

Emitter-base voltage

TR1

TR2

1.5

Collector current

TR1

TR2

Sep-01-2003

12 3 4

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