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BFS483-E6433

更新时间： 2024-02-21 00:25:48

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Transistor

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BFS483-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.065 A	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.45 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	6000 MHz
Base Number Matches：	1

BFS483-E6433 数据手册

BFS483

NPN Silicon RF Transistor

For low-noise, high-gain broadband amplifier

at collector currents from 2 mA to 28 mA

f = 8 GHz

F = 1.2 dB at 900 MHz

Two (galvanic) internal isolated

Transistors in one package

VPS05604

TR2

TR1

EHA07196

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BFS483

RHs

1=B 2=E 3=C 4=B 5=E 6=C

SOT363

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

450

Total power dissipation

tot

40 °C

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

K/W

Junction - soldering point

245

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Jun-27-2001

12 3 4 5 6 7 8

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