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BFS520

更新时间: 2024-11-25 06:42:03
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 196K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

BFS520 数据手册

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INCHANGE Semiconductor  
iscRF Product Specification  
isc Silicon NPN RF Transistor  
BFS520  
DESCRIPTION  
·Low Noise Figure  
NF = 1.1 dB TYP. @VCE = 6 V, IC = 5 mA, f = 900 MHz  
·High Current-Gain—Bandwidth Product  
fT= 9 GHz TYP. @VCE = 6 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz  
APPLICATIONS  
·Designed for wideband applications such as satellite TV  
tuners,cellular phones, cordless phones,pagers etc, with  
signal frequencies up to 2 GHz.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCES  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
20  
UNIT  
V
RBE= 0  
15  
V
2.5  
V
Collector Current-Continuous  
70  
mA  
W
Collector Power Dissipation  
@TC=25℃  
PC  
0.3  
TJ  
Junction Temperature  
175  
Storage Temperature Range  
-65~150  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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