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BFS469L6

更新时间: 2024-11-05 03:21:47
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 59K
描述
NPN Silicon RF TWIN Transistor

BFS469L6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:CHIP CARRIER, R-XBCC-N6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:0.45 pF集电极-发射极最大电压:4.5 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):90
最高频带:S BANDJESD-30 代码:R-XBCC-N6
JESD-609代码:e3元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):22000 MHz
Base Number Matches:1

BFS469L6 数据手册

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BFS469L6  
NPN Silicon RF TWIN Transistor*  
Low voltage/ low current applications  
Ideal for VCO modules and low noise amplifiers  
World's smallest SMD 6-pin leadless package  
Built in 2 transitors (TR1: die as BFR460L3,  
TR2: die as BFR949L3)  
4
3
2
5
6
1
Low noise figure: TR1: 1.1dB at 1.8 GHz  
TR2: 1.5 dB at 1.8 GHz  
TR1 with excellent ESD performance  
typical value > 1500 V (HBM)  
* Short term description  
6
T
R
1
5
4
T
R
2
1
2
3
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BFS469L6  
AD  
1=C1 2=E1 3=C2 4=B2 5=E2 6=B1 TSLP-6-1  
2005-10-11  
1

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