BFS483

更新时间： 2024-01-03 13:42:33

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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描述
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain broadband amplifier at colector current from 2mA to 28mA)

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BFS483 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	最大集电极电流 (IC)：	0.065 A
基于收集器的最大容量：	0.6 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz
Base Number Matches：	1

BFS483 数据手册

BFS 483

NPN Silicon RF Transistor

• For low-noise, high-gain broadband amplifier

at colector current from 2mA to 28mA

• f = 8GHz

F = 1.2dB at 900MHz

• Two (galvanic) internal isolated

Transistors in one package

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

RHs Q62702-F1574

Pin Configuration

1/4 = B 2/5 = E

Package

BFS 483

3/6 = C

SOT-363

data below is of a single transistor

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 40 °C

450

150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

thJS

≤ 245

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-16-1996

12 3 4 5 6

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BFS483 替代型号

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UPA802T-T1	RENESAS	功能相似	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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