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BFS482

更新时间: 2024-02-29 17:46:09
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 57K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA.)

BFS482 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-363包装说明:SOT-363, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.36
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.035 A
基于收集器的最大容量:0.45 pF集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8000 MHzBase Number Matches:1

BFS482 数据手册

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BFS 482  
NPN Silicon RF Transistor  
• For low-noise, high-gain broadband amplifiers  
at collector currents from 1mA to 20mA.  
f = 8GHz  
T
F = 1.2dB at 900MHz  
• Two (galvanic) internal isolated  
Transistors in one package  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking Ordering Code  
RGs Q62702-F1573  
Pin Configuration  
1/4 = B 2/5 = E  
Package  
BFS 482  
3/6 = C  
SOT-363  
data below is of a single transistor  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
12  
20  
20  
2
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
I
I
35  
4
mA  
mW  
°C  
C
Base current  
B
Total power dissipation  
P
tot  
T 81 °C  
S
250  
150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
j
- 65 ... + 150  
- 65 ... + 150  
A
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
thJS  
275  
K/W  
1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.  
S
Semiconductor Group  
1
Dec-16-1996  

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